do strony «teksty własne»

Warszawa, dnia 10 lipca 1998 roku

Sprawozdanie z odbycia praktyki studenckiej
w Instytucie Technologii Elektronowej
w Warszawie

W dniach od 1 do 10 lipca 1998 roku odbyliśmy praktykę studencką w Instytucie Technologii Elektronowej w Warszawie w Zakładzie Fizyki i Technologii Struktur Niskowymiarowych kierowanym przez prof. Macieja Bugajskiego.

Podczas praktyki zapoznaliśmy się z technologią i pomiarami struktur półprzewodnikowych.

Poznaliśmy metody otrzymywania elementów półprzewodnikowych takie jak epitaksja z wiązek molekularnych i fotolitografia. Braliśmy udział w procesie wytwarzania struktury warstwowej z AlGaAs i GaAs zawierającej studnię kwantową (proces prowadzony był metodą epitaksji z wiązek molekularnych). Obserwowaliśmy fotolitografię i nanoszenie warstwy izolatora (metodą rozpylania katodowego techniką wysokiej częstotliwości) na podłoże GaAs.Zapoznano nas z pasywacją elektrochemiczną powierzchni GaSb metodą siarkowania.

Zaprezentowano nam także optyczne, elektronowe i elektryczne metody badania warstw półprzewodnikowych (pomiary fotoluminescencji struktur warstwowych, charakterystyk prądowo-napięciowych i pojemnościowo-napięciowych złącz półprzewodnikowych, pomiary charakterystyk laserów półprzewodnikowych opartych na heterozłączach GaAs-AlGaAs, zastosowania transmisyjnego i skaningowego mikroskopu elektronowego).

Zapoznaliśmy się z budową i działaniem lokalnej sieci komputerowej w Instytucie Technologii Elektronowej w Warszawie.

Bogusław Starzyczny
Marcin Miczek
studenci Politechniki Śląskiej w Gliwicach
(Wydział Matematyczno-Fizyczny
kierunek: Fizyka Techniczna
specjalność: Komputery w pomiarach fizycznych)

potwierdzam prawidłowe odbycie praktyki ......................................

(widnieje pieczątka i podpis
kierownika Zakładu Fizyki i Technologii Struktur Niskowymiarowych (Z-1)
prof. dra hab. Macieja Bugajskiego)


Sprawozdanie z praktyki w Instytucie Technologii Próżniowej

do strony «teksty własne»